ZHCACT1D September   2022  – May 2025 AM2612 , AM2631 , AM2631-Q1 , AM2632 , AM2632-Q1 , AM2634 , AM2634-Q1 , AM263P2 , AM263P2-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
      1. 2.3.1 ADC/DAC 电压基准去耦
    4. 2.4 估计功耗
    5. 2.5 配电网络
      1. 2.5.1 仿真
        1. 2.5.1.1 内核数字电源 1.2V
        2. 2.5.1.2 数字和模拟 I/O 电源 3.3V
    6. 2.6 电子保险丝电源
  6. 3 时钟
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自动加载
    1. 5.1 SOP 信号实现
  9. 6 OSPI 和 QSPI 存储器的实现
    1. 6.1 ROM OSPI 和 QSPI 引导要求
      1. 6.1.1 AM263x QSPI 引导引脚要求
      2. 6.1.2 AM263Px 的 OSPI 和 QSPI 引导引脚要求
      3. 6.1.3 AM261x OSPI 和 QSPI 引导引脚要求
    2. 6.2 其他 OSPI 和 QSPI 参考
  10. 7 调试接口
    1. 7.1 JTAG 仿真器和跟踪
    2. 7.2 UART
  11. 8 USB
    1. 8.1 USB 器件模式
    2. 8.2 USB 主机模式
  12. 9 多路复用外设
  13. 10数字外设
    1. 10.1 通用数字外设布线指南
    2. 10.2 布线长度匹配
  14. 11模拟外设
    1. 11.1 通用模拟外设布线指南
      1. 11.1.1 旋转变压器 ADC 布线指南
  15. 12层堆叠
    1. 12.1 关键堆叠特性
  16. 13过孔
  17. 14BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 14.1 接地回路
      1. 14.1.1 接地回路 - ZCZ 封装 AM26x 器件
      2. 14.1.2 接地回路 - ZNC 和 ZFG 封装 AM261x 器件
    2. 14.2 1.2V 内核数字电源
      1. 14.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.2.2 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项 - ZFG
    3. 14.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 14.3.1 3.3V I/O 电源主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.3.2 3.3V I/O 电源主要布局注意事项 - ZFG
    4. 14.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 14.4.1 1.8V 主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.4.2 1.8V 主要布局注意事项 - ZFG
  18. 15总结
  19. 16参考资料
  20. 17修订历史记录

12.1 关键堆叠特性

表 12-2 按封装尺寸分类的堆叠特性
ZCZ（15mm x 15mm，0.8mm 间距）、ZFG（13.25mm x 13.25mm，0.65mm 间距） ZFG（13.25mm x 13.25mm，0.65mm 间距）、ZNC（10mm x 10mm，0.5mm 间距）
总层数 6 4
PCB 厚度 62 mil +/- 10% 62 mil +/- 10%
控制阻抗布线层（可选） 4（L1、L3、L4、L6） 2（L1、L4）
信号/电源层具有相邻的 GND 基准 是 是
内核中心层厚度 28 mil 42 mil
BGA 扇出过孔类型 穿孔 穿孔
注： 在 6 层设计中，L4 电源和 L5 GND 返回层之间的最小电介质厚度可实现最佳平面电容性能，有助于电源完整性和 EMI。
表 12-3 6 层 PCB：层利用情况
层编号 注释
覆铜 1（顶部） 顶层安装和信号布线
覆铜 2 接地回路平面
覆铜 3 嵌入式微带或带状线信号布线和电源布线
覆铜 4 嵌入式微带或带状线和电源布线
覆铜 5 接地回路平面
覆铜 6（底部） 底层安装和信号布线
表 12-4 AM263x、AM263Px、AM261x ZCZ 封装，6 层 PCB：受控阻抗规划选项
层编号 参考层编号 结构名称 (1) 布线宽度 (mil) 迹线分离 (mil) 目标阻抗 (Ω) 计算阻抗 (Ω) 注释
L1 L2 涂层微带 5.300 0.000 50.000 50.140
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830 L1，USB 差分
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
L3 L3 偏移带状线 4.750 0.000 50.000 49.960
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 4.000 6.000 90.000 90.040 L3，USB 差分
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 3.500 8.100 100.000 99.880
L3 L2 边缘耦合偏移带状线 4.000 12.000 100.000 100.160
L6 L5 涂层微带 5.300 0.000 50.000 50.140
L6 L5 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830
L6 L5 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L6 L4 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
表 12-5 4 层 PCB：层利用情况
层编号 注释
覆铜 1（顶部） 顶层安装和信号布线
覆铜 2 接地回路平面
覆铜 3 电源布线
覆铜 4（底部） 底层安装和信号布线
表 12-6 AM261x ZFG 封装，4 层 PCB：受控阻抗规划选项
层编号 参考层编号 结构名称 (1) 布线宽度 (mil) 迹线分离 (mil) 目标阻抗 (Ω) 计算阻抗 (Ω) 注释
L1 L2 涂层微带 4.000 3.900 50.000 49.640
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.200 5.800 90.000 93.700 L1，USB 差分
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
L4 L3 涂层微带 5 8.5 50.000 47.400
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
表 12-7 AM261x ZNC 封装，4 层 PCB：受控阻抗规划选项
层编号 参考层编号 结构名称 (1) 布线宽度 (mil) 迹线分离 (mil) 目标阻抗 (Ω) 计算阻抗 (Ω) 注释
L1 L2 涂层微带 3.200 3.300 50.000 52.960
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.200 5.800 90.000 93.700 L1，USB 差分
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L1 L2 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
L4 L3 涂层微带 3.500 6.650 50.000 49.980
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.200 5.000 90.000 89.830
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.000 7.700 100.000 99.840
L4 L3 边缘耦合涂层微带 4.100 6.800 120.000 120.030
(1) 使用 Polar 2D 场求解器，针对给定的覆铜和电介质厚度、宽度和耗散常数计算所有阻抗。