ZHCACT1D September 2022 – May 2025 AM2612 , AM2631 , AM2631-Q1 , AM2632 , AM2632-Q1 , AM2634 , AM2634-Q1 , AM263P2 , AM263P2-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1
45nm CMOS 技术可实现更快的内核速率和 SRAM 时钟速率,以及适用于 LVCMOS I/O 缓冲器的更快的边沿速率。因此,与以前的 MCU 工艺节点相比,谨慎地布置电源和接地回路对于使用 AM263x、AM263Px 和 AM261x 设计实现更佳的电源完整性、信号完整性和 EMI 性能至关重要。
TI 建议设计人员遵循 AM263x、AM263Px 和 AM261x EVM PCB 设计中实施的类似配电布局,以便在所有工作条件和 EMI 测试条件下实现良好的电源完整性结果。
AM263x controlCard EVM 代表了适用于 ZCZ 封装 AM26x 器件的经过高度优化和严格审查的配电布局。在特定于 ZCZ 的章节中引用了 controlCard 示例。对于非 ZCZ AM261x 器件,请参阅 ZFG/ZNC 特定章节。