ZHCACT1D September   2022  – May 2025 AM2612 , AM2631 , AM2631-Q1 , AM2632 , AM2632-Q1 , AM2634 , AM2634-Q1 , AM263P2 , AM263P2-Q1 , AM263P4 , AM263P4-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1 简介
  5. 2 电源
    1. 2.1 分立式直流/直流电源解决方案
    2. 2.2 集成的 PMIC 电源解决方案
    3. 2.3 电源去耦和滤波
      1. 2.3.1 ADC/DAC 电压基准去耦
    4. 2.4 估计功耗
    5. 2.5 配电网络
      1. 2.5.1 仿真
        1. 2.5.1.1 内核数字电源 1.2V
        2. 2.5.1.2 数字和模拟 I/O 电源 3.3V
    6. 2.6 电子保险丝电源
  6. 3 时钟
    1. 3.1 晶体和振荡器输入选项
    2. 3.2 输出时钟生成
    3. 3.3 晶体选择和并联电容
    4. 3.4 晶体放置和布线
  7. 4 复位
  8. 5 自动加载
    1. 5.1 SOP 信号实现
  9. 6 OSPI 和 QSPI 存储器的实现
    1. 6.1 ROM OSPI 和 QSPI 引导要求
      1. 6.1.1 AM263x QSPI 引导引脚要求
      2. 6.1.2 AM263Px 的 OSPI 和 QSPI 引导引脚要求
      3. 6.1.3 AM261x OSPI 和 QSPI 引导引脚要求
    2. 6.2 其他 OSPI 和 QSPI 参考
  10. 7 调试接口
    1. 7.1 JTAG 仿真器和跟踪
    2. 7.2 UART
  11. 8 USB
    1. 8.1 USB 器件模式
    2. 8.2 USB 主机模式
  12. 9 多路复用外设
  13. 10数字外设
    1. 10.1 通用数字外设布线指南
    2. 10.2 布线长度匹配
  14. 11模拟外设
    1. 11.1 通用模拟外设布线指南
      1. 11.1.1 旋转变压器 ADC 布线指南
  15. 12层堆叠
    1. 12.1 关键堆叠特性
  16. 13过孔
  17. 14BGA 电源扇出和去耦放置
    1. 14.1 接地回路
      1. 14.1.1 接地回路 - ZCZ 封装 AM26x 器件
      2. 14.1.2 接地回路 - ZNC 和 ZFG 封装 AM261x 器件
    2. 14.2 1.2V 内核数字电源
      1. 14.2.1 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.2.2 1.2V 内核数字电源主要布局注意事项 - ZFG
    3. 14.3 3.3V 数字和模拟电源
      1. 14.3.1 3.3V I/O 电源主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.3.2 3.3V I/O 电源主要布局注意事项 - ZFG
    4. 14.4 1.8V 数字和模拟电源
      1. 14.4.1 1.8V 主要布局注意事项 - ZCZ
      2. 14.4.2 1.8V 主要布局注意事项 - ZFG
  18. 15总结
  19. 16参考资料
  20. 17修订历史记录

8 USB

AM261x 系列微控制器器件包括一个内部 USB 2.0 PHY，支持 USB 器件模式、USB 主机模式和 USB 双角色模式操作。内部 USB 2.0 PHY 在 USB 2.0 主机和器件模式下均能实现高速（HS，480Mbps）和全速（FS，12Mbps）运行，仅在主机模式下能实现低速（LS，1.5Mbps）运行。

内部 USB PHY 的关键组件是双向差分数据引脚 USB0DM (D-) 和 USB0DP (D+)。USB0_ID 信号是与 USB 插座连接的外部网络，指示 USB2.0 PHY 正在以哪种模式运行。在 AM261x EVM 上，USB0_ID 设置有开关，允许对两种模式下的 USB 2.0 PHY 进行评估。

显示关键信号的 USB 2.0 Micro-AB 端口 - LP-AM261图 8-1 显示关键信号的 USB 2.0 Micro-AB 端口 - LP-AM261

为了获得最佳效果，在布线 USB 差分对时需要遵循以下设计规则和建议：

  • 在顶层布置 USB 差动对，其走线宽度和差分间距与 PCB 堆叠相匹配，以实现 90Ω 差动阻抗。
    • 实现同时达到 90Ω 差动阻抗和 45Ω 单端阻抗的走线几何形状可能并非易事。在此设计中，要优化的最关键参数是 90Ω 差动阻抗。
    • 无法实现在微控制器引脚处以及 ESD 抑制器和 USB 连接器处直接保持所需的 90Ω 差动走线阻抗的走线宽度和间距。充分减小这些偏差，以确保保持对称。
  • 差动对内的各个走线的长度匹配需要达到 0.150 英寸（3.81 毫米）以内。
  • 向 D+ 和 D- 信号添加元件时，请避免使用短截线。ESD 抑制器等器件必须直接位于信号走线上。
  • 布线差动对时保持对称。一些 PCB 布局工具可以协助进行此类布线。如有可能，请避免使用过孔。如果需要切换层，则对中的两个信号都会通过走线上相同距离的通孔。
  • USB 差动对的总布线长度限制为 12 英寸 (30.48 cm)。
  • 将 ESD 抑制器尽可能靠近 USB 连接器放置，充分缩小任何阻抗不连续性区域。AM261x EVM 使用 TPD4E02B04 ESD 保护二极管。
  • USB ESD 抑制 - LP-AM261图 8-2 USB ESD 抑制 - LP-AM261
  • 为了获得出色的 ESD 和 EMI 性能，请创建一个与 USB 连接器的金属屏蔽器连接的底盘接地。
  • 根据系统设计，共模扼流圈有助于通过 EMI 测试。Murata 制造的 DLW21SN 共模扼流圈是一种推荐器件，并用于 AM261x EVM。如果设计中需要考虑 EMI，那么 TI 建议在设计中将扼流圈的放置在靠近 USB 连接器的位置。图 8-3 展示了 DLW21SN 扼流圈的放置。
  • 有关更多高速 USB 平台设计指南（包括有关使用共模扼流圈的更多详细信息），请访问 USB.org。
    USB 布线示例图 8-3 USB 布线示例