ZHCSQC0C June 2022 – April 2025 ADC12DJ5200-SP
PRODUCTION DATA
表 6-62 列出了可修整的参数以及相关的寄存器。用户修整仅限于前台 (FG) 校准模式。
| 修整参数 | 修整寄存器 | 注释 |
|---|---|---|
| 带隙基准 | BG_TRIM | BG 输出引脚上的测量值。 |
| 输入终端电阻 | RTRIM_x, 其中 x = A 表示 INA±,B 表示 INB±) | 器件上电时必须使用时钟。 |
| 输入失调电压 | OADJ_A_FG0_VINx、OADJ_A_FG90_VINx 和 OADJ_B_FG0_VINx、 其中 OADJ_A 适用于 ADC 内核 A,OADJ_B 适用于 ADC 内核 B,FG0 适用于 ADC 内核 A 和 B 的双通道模式,以及 ADC 内核 B 的单通道模式,FG90 适用于单通道模式下的 ADC 内核 A,并且 x = A 表示 INA±,B 表示 INB±) | 双通道模式下的输入失调电压调整包括更改通道 A 的 OADJ_A_FG0_VINA 和通道 B 的 OADJ_B_FG0_VINB。在单通道模式下、必须同时调整 OADJ_A_FG90_VINx 和 OADJ_B_FG0_VINx 以微调输入失调电压、或者单独调整以补偿 fS/2 杂散失调电压。 |
| INA± 和 INB± 增益 | GAIN_xy_FGDUAL 或 GAIN_xy_FGDES, 其中 x = ADC 通道(A 或 B)、y = 组编号(0 或 1) | 在修整输入之前,将 FS_RANGE_A 和 FS_RANGE_B 设置为默认值。使用 FS_RANGE_A 和 FS_RANGE_B 调整满量程输入电压。GAIN_xy_FGDUAL 寄存器适用于双通道模式,GAIN_xy_FGDES 寄存器适用于单通道模式。要修整 ADC 内核 A 或 B 的增益,请以相同方向一起更改 GAIN_x0_FGDUAL 和 GAIN_x1_FGDUAL(或 GAIN_x0_FGDES 和 GAIN_x1_FGDES)。要修整 ADC A 或 B 内两个组的增益,请以相反方向更改 GAIN_x0_FGDUAL 和 GAIN_x1_FGDUAL(或 GAIN_x0_FGDES 和 GAIN_x1_FGDES)。 |
| INA± 和 INB± 满量程输入电压 | FS_RANGE_x, 其中 x = A 表示 INA±,B 表示 INB±) | 针对每个输入进行满量程输入电压调整。默认值受 GAIN_Bx(x = 0、1、4 或 5)的影响。在将 FS_RANGE_x 设置为默认值的情况下,修整 GAIN_Bx。然后可以使用 FS_RANGE_x 来修整满量程输入电压。 |
| ADC 内部内核时序(组时序) | Bx_TIME_y, 其中 x = 组编号(0、1、4 或 5) ,y = 0° (0) 或 –90° (90) 时钟相位 | 修整 ADC 内核的两个组(ADC A 或 B)之间的时序。0° 时钟相位用于双通道模式,而 ADC B 用于单通道模式。–90° 时钟相位仅用于单通道模式下的 ADC A。ADC 内核两个组之间的时序不匹配会导致双通道模式下出现 fS/2-f IN 杂散,或单通道模式下出现 f S/4±fIN 杂散。 |
| ADC 间内核时序(双通道模式) | TADJ_A、TADJ_B | 后缀字母(A 或 B)表示正在修整的 ADC 内核。更改 TADJ_A 或 TADJ_B 会调整双通道模式下 ADC A 相对于 ADC B 的采样实例。 |
| ADC 间内核时序(单通道模式) | TADJ_A_FG90_VINx、TADJ_B_FG0_VINx, 其中 x = 模拟输入(INA± 或 INB±) | 这些修整寄存器用于调整在单通道模式下 ADC 内核 A 相对于 ADC 内核 B 的时序。时序不匹配将导致与信号相关的 fS/2-f IN 杂散。在单通道模式下,更改 TADJ_A_FG90_VINx 或 TADJ_B_FG0_VINx 会更改 ADC 内核 A 相对于 ADC 内核 B 的相对时序。 |