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CSD19538Q2 (正在供货)

CSD19538Q2

CSD19538Q2 - CSD19538Q2
 

描述

这款 100V、49mΩ、采用 2mm × 2mm SON 封装的 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
Rating
CSD19538Q2 CSD19537Q3 CSD19538Q3A
100     100     100    
Single       Single    
59     14.5     61    
34.4     219     36    
4.3     16     4.3    
0.8     2.9     0.8    
SON2x2     SON3x3     SON3x3    
20     20     20    
3.2     3     3.2    
13.1     53     13.7    
14.4     50     15    
No     No     No    
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