CSD16409Q3 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD16409Q3
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N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD16409Q3
数据表
N-Channel NexFET™ Power MOSFETs, CSD16409Q3 数据表   (英文內容)
 

描述

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.

特性

  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3mm x 3.3mm Plastic Package
  • APPLICATIONS
    • Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications
      in Networking, Telecom and Computing Systems
    • Optimized for Control FET Applications

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, package limited (A) Logic level
CSD16409Q3 立即下单 25     Single     12.4     8.2     90     4     1     SON3x3     16     2     60     Yes