CSD23285F5 -12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路 LGA 0.8x1.5、35mΩ | 德州仪器 TI.com.cn

CSD23285F5
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路 LGA 0.8x1.5、35mΩ

 

描述

这款 29mΩ、–12V P 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过了设计和优化,能够以最大限度减小许多手持式和移动类应用中的 封装尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。










特性

  • 低导通电阻
  • 低 Qg和 Qgd
  • 超小尺寸
    • 1.53mm x 0.77mm
    • 0.5mm 焊盘间距
  • 薄型
    • 高度为 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD23285F5 立即下单 -12     -6     Single     35     47     80     -31     -3.3     3.2     0.48     0.66     -0.65     LGA 0.8x1.5