CSD23381F4 12-V, P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD23381F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD23381F4
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
12-V, P-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD23381F4

 

描述

这款 150mΩ,12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 已被设计且优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD23381F4 立即下单 -12     -8     Single     175     300     970     -9     -2.3     1.14     0.19     0.3     -0.95     LGA 0.6x1.0