CSD18532KCS 60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 TO-220、4.2mΩ | 德州仪器 TI.com.cn

CSD18532KCS
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60V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 TO-220、4.2mΩ

 

描述

这款 60V,3.3mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 直流 - 直流转换
  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD18532KCS 立即下单 60     Single     5.3     4.2     400     44     6.9     TO-220     20     1.8     169     100     Yes