CSD87501L CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD87501L
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

此 30V、6.6mΩ、3.37mm × 1.47mm LGA 双路 NexFET™功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件具有小尺寸和共漏极配置,非常适用于多节电池组 应用 和小型手持设备。




特性

  • 低导通电阻
  • 3.37mm × 1.47mm 的小尺寸
  • 超薄 – 高 0.2mm
  • 无铅
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • 栅极 ESD 保护

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) Logic level
CSD87501L 立即下单 30     Dual Common Drain     5.5     3.9     72     15     6     LGA       20     1.8     Yes    
CSD83325L 立即下单 12     Dual Common Drain     5.9       52     8.4     1.9     LGA     8.4     10     0.95     Yes    
CSD85302L 立即下单 20     Dual Common Drain     24       37     6     1.4     LGA 1.35x1.35     29     10     0.9     Yes    
CSD87313DMS 立即下单 30     Dual Common Drain     5.5         28     6     SON3x3     6.6     10     0.9     Yes