CSD19534Q5A 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19534Q5A
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19534Q5A

 

描述

这款 100V,12.6mΩ,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值。 最大 RθJC = 2.0°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

应用范围

  • 初级侧电信应用
  • 电机控制

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD19534Q5A 立即下单 100     Single     15.1     137     17     3.2     SON5x6     20     2.8     44     40     No    
CSD19531Q5A 立即下单 100     Single     6.4     337     37     6.6     SON5x6     20     2.7     110     100     No    
CSD19532Q5B 立即下单 100     Single     4.9     400     48     8.7     SON5x6     20     2.6     140     100     No    
CSD19533Q5A 立即下单 100     Single     9.5     231     27     4.9     SON5x6     20     2.8     75     100     No    
CSD19537Q3 立即下单 100     Single     14.5     219     16     2.9     SON3x3     20     3     53     50     No