CSD17483F4 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD17483F4 (正在供货) 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F4

 

Applications

  • Laptop
  • Tablet
  • Cell phone
  • Battery charger

描述

这款 200mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™MOSFET 技术经过特别设计和优化,能够在许多手持式和移动应用中最大限度地减小 占用空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。








特性

  • 低导通电阻
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度为 0.35mm
  • 集成 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV HBM
    • 额定值 > 2kV CDM
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 标准

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) Logic level
CSD17483F4 立即下单 30     Single     260     230     5     1.01     0.13     LGA 1.0 x 0.6mm     240     12     0.85     Yes