CSD88537ND 60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88537ND | 德州仪器 TI.com.cn

CSD88537ND
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
60-V Dual N-Channel NexFET Power MOSFET, CSD88537ND

 

描述

这款双路小外形尺寸 (SO)-8,60V,12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。

顶视图

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值
。最大 RθJL = 20°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 雪崩额定值
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 用于电机控制的半桥
  • 同步降压转换器

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD88537ND 立即下单 60     Dual     15     62     14     2.3     SO-8     20     3     16       No    
CSD88539ND 立即下单 60     Dual     28     46     14     2.3     SO-8     20     3     11.7     15     No