CSD25483F4 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD25483F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25483F4
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD25483F4

 

描述

这款 210mΩ,20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD25483F4 立即下单 -20     -12     Single     245     390     1070     -6.5     -1.6     0.96     0.16     0.25     -0.95     LGA 0.6x1.0    
CSD25480F3 立即下单 -20     -12     Single     159     260     840     -10.4     -1.7     0.7     0.1     0.26     -0.95     LGA 0.6x0.7    
CSD25481F4 立即下单 -20     -12     Single     105     175     800     -10     -2.5     0.913     0.153     0.24     -0.95     LGA 0.6x1.0    
CSD25484F4 立即下单 -20     -12     Single     109     180     825     -22     -2.5     1.09     0.15     0.35     -0.95     LGA 0.6x1.0