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CSD25404Q3
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
CSD25404Q3

 

描述

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装,可提供出色的封装散热性能。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD25404Q3 立即下单 -20     -12     Single     6.5     12.1     150     -240     -18     10.8     2.2     2.8     -0.9     SON 3x3    
CSD25310Q2 立即下单 -20     -8     Single     23.9     32.5     89     -48     -9.6     3.6     0.5     1.1     -0.85     SON 2x2    
CSD25402Q3A 立即下单 -20     -12     Single     8.9     15.9     300     -82     -15     7.5     1.1     2.4     -0.9     SON 3x3