CSD25404Q3 (正在供货)

CSD25404Q3

 

描述

这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装,可提供出色的封装散热性能。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 低 RDS(on)
  • 无卤素
  • 符合 RoHS 标准
  • 无铅引脚镀层
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

应用

  • 直流-直流转换器
  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25404Q3 CSD25310Q2 CSD25402Q3A
-20    -20    -20   
-12    -8    -12   
Single    Single    Single   
6.5    23.9    8.9   
12.1    32.5    15.9   
150    89    300   
-240    -48    -82   
-18    -9.6    -15   
10.8    3.6    7.5   
2.2    0.5    1.1   
2.8    1.1    2.4   
-0.9    -0.85    -0.9   
SON 3x3    SON 2x2    SON 3x3