CSD19536KTT CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19536KTT (正在供货) CSD19536KTT 100V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

 

描述

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD19536KTT 立即下单 100     Single       2.4     400     118     17     D2PAK     20     2.5     272     200     No    
CSD18535KTT 立即下单 60     Single     2.9     2     400     63     10.4     D2PAK     20     1.9     279     200     Yes    
CSD18536KTT 立即下单 60     Single     2.2     1.6     400     108     14     D2PAK     20     1.8     349     200     Yes    
CSD18542KTT 立即下单 60     Single     5.1     4     400     44     6.9     D2PAK     20     1.8     170     200     Yes    
CSD19505KTT 立即下单 80     Single       3.1     400     76     11     D2PAK     20     2.6     212     200     No    
CSD19506KTT 立即下单 80     Single       2.3     400     120     20     D2PAK     20     2.5     291     200     No    
CSD19532KTT 立即下单 100     Single       5.6     400     44     5.6     D2PAK     20     2.6     136