CSD22205L -8V, P ch NexFET MOSFET™, single LGA 1.2x1.2, 9.9mOhm | 德州仪器 TI.com.cn

CSD22205L (正在供货) -8V, P ch NexFET MOSFET™, single LGA 1.2x1.2, 9.9mOhm

 

描述

该 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板栅格阵列 (LGA) NexFET™器件旨在以超薄且具有出色散热特性的最小外形尺寸封装提供最低的导通电阻和栅极电荷。基板栅格阵列 (LGA) 封装是一种带有金属接触板(而非焊球)的器件芯片级封装。

特性

  • 低电阻
  • 1.2mm × 1.2mm 小尺寸封装
  • 扁平设计,高度为 0.35mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD22205L 立即下单 -8     -6     Single     9.9     15     40     -71     -7.4     6.5     1     1.2     -0.7     LGA 1.2x1.2    
CSD22202W15 立即下单 -8     -6     Single     12.2     17.4       -48     -5     6.5     1     1.6     -0.8     WLP 1.5x1.5    
CSD22204W 立即下单 -8     -6     Single     9.9     14       -80     -5     18.9     4.2     3.2     -0.7     WLP 1.5x1.5    
CSD22206W 立即下单 -8     -6     Single     5.7     9.1       -108     -5     11.2     1.8     2.1     -0.7     WLP 1.5x1.5