CSD18532Q5B 60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD18532Q5B
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET

 

描述

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 2.5mΩ、60V NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换应用中的 损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD18532Q5B 立即下单 60     Single     4.3     3.2     400     44     6.9     SON5x6     20     1.8     172     100     Yes