CSD19533KCS 100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19533KCS
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100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS

100V、N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19533KCS - CSD19533KCS
数据表
CSD19533KCS 100V N 通道 NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. B)
 

描述

这款 100V，8.7mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

应用范围

  • 次级侧同步整流器
  • 电机控制

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD19533KCS 立即下单 100     Single     10.5     207     27     5.4     TO-220     20     2.8     86     100     No    
CSD19531KCS 立即下单 100     Single     7.7     285     38     7.5     TO-220     20     2.7     110     100     No    
CSD19531Q5A 立即下单 100     Single     6.4     337     37     6.6     SON5x6     20     2.7     110     100     No    
CSD19532Q5B 立即下单 100     Single     4.9     400     48     8.7     SON5x6     20     2.6     140     100     No    
CSD19533Q5A 立即下单 100     Single     9.5     231     27     4.9     SON5x6     20     2.8     75     100     No    
CSD19535KCS 立即下单 100     Single     3.6     400     78     13     TO-220     20     2.7     187     150     No    
CSD19536KCS 立即下单 100     Single     2.7     400     118     17     TO-220     20     2.5     259     150     No