CSD87313DMS 30V 双路 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD87313DMS (正在供货)

30V 双路 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

30V 双路 N 沟道 NexFET 功率 MOSFET - CSD87313DMS
 

描述

CSD87313DMS 是一款 30V 共漏极、双路 N 通道器件,专为 USB Type-C/PD 和电池保护而设计。此 3.3mm × 3.3mm SON 器件具有低源极至源极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的 应用。

特性

  • 低源极至源极导通电阻
  • 双共漏极 N 通道 MOSFET
  • 针对 5V 栅极驱动进行了优化
  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

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参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
Rating
CSD87313DMS CSD83325L CSD85302L CSD87501L
30     12     20     30    
Dual Common Drain     Dual     Dual Common Drain     Dual Common Drain    
5.5     5.9     24     5.5    
      3.9    
  52     37     72    
28     8.4     6     15    
6     1.9     1.4     6    
SON3x3     LGA     LGA 1.35x1.35     LGA    
6.6     8.4     29      
10     10     10     20    
0.9     0.95     0.9     1.8    
Yes     Yes     Yes     Yes    
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