CSD17571Q2 30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q | 德州仪器 TI.com.cn

CSD17571Q2
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD175712Q

 

描述

这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗,同时提供出色的封装散热性能。

特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm × 2mm 塑料封装

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 存储、平板电脑和手持设备
  • 针对控制场效应晶体管 (FET) 应用进行了优化

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD17571Q2 立即下单 30     Single     29     24     39     2.4     0.6     SON2x2       20     1.6       22     Yes    
CSD13202Q2 立即下单 12     Single     9.3       76     5.1     0.76     SON2x2     9.1     8     0.8       22     Yes    
CSD17313Q2 立即下单 30     Single     32       20     2.1     0.4     SON2x2       10     1.3       5     Yes    
CSD17318Q2 立即下单 30     Single     16.9       68     6     1.3     SON2x2     20     10     0.9     25     22     Yes