CSD19532KTT CSD19532KTT | 德州仪器 TI.com.cn

CSD19532KTT (正在供货) CSD19532KTT

 

描述

这款 100V、4.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

引脚分配

要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 最大 RθJC = 0.6°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,
占空比 ≤ 1%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用

  • 次级侧同步整流器
  • 热插拔
  • 电机控制

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD19532KTT 立即下单 100     Single     5.6     400     44     5.6     D2PAK     20     2.6     136     200     No    
CSD19535KTT 立即下单 100     Single     3.4     400     75     11     D2PAK     20     2.7     197     200     No    
CSD19536KTT 立即下单 100     Single     2.4     400     118     17     D2PAK     20     2.5     272     200     No