电源管理

功率 MOSFET

为快速开关晶体管提供较低的栅极电荷和电阻

NexFET™ 功率 MOSFET 提供了各种 N 沟道和 P 沟道分立和模块解决方案,可以提高效率、功率密度和频率,并缩短产品上市时间。


N 沟道 MOSFET 晶体管

TI 提供强大的 N 沟道器件,并配备一流的电阻和栅极电荷,可实现高频操作和更高的功率密度。


P 沟道 MOSFET 晶体管

TI 的 P 沟道器件具有业界最佳功率密度和最小封装,并提供易于驱动的低栅极电荷。


功率级 MOSFET

功率级具有集成驱动器 IC、优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 技术消除寄生效应、降低开关损耗且尽可能实现最高效率。


电源块 MOSFET

这些电源块具有优化的控制和同步 FET,同时利用 PowerStack™ 技术消除寄生效应并实现高效率和开关频率。

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