CSD25481F4 P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25481F4
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4

 

描述

这款 90mΩ,20V P 通道 FemtoFET™MOSFET 的设计经过了优化,能够最大限度地减小许多手持式和移动类应用的 尺寸。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小 60% 以上。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD25481F4 立即下单 -20     -12     Single     105     175     800     -10     -2.5     0.913     0.153     0.24     -0.95     LGA 0.6x1.0    
CSD25480F3 立即下单 -20     -12     Single     159     260     840     -10.4     -1.7     0.7     0.1     0.26     -0.95     LGA 0.6x0.7    
CSD25483F4 立即下单 -20     -12     Single     245     390     1070     -6.5     -1.6     0.96     0.16     0.25     -0.95     LGA 0.6x1.0    
CSD25484F4 立即下单 -20     -12     Single     109     180     825     -22     -2.5     1.09     0.15     0.35     -0.95     LGA 0.6x1.0    
CSD25485F5 立即下单 -20     -12     Single     42     70     250     -31     -5.3     2.7     0.56     0.67     -0.95     LGA 0.8x1.5