P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4 - CSD25481F4

CSD25481F4 (正在供货)

P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4

 

Applications

  • Laptop
  • Tablet
  • Cell phone
  • Battery charger

描述

这款 90mΩ,20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 高运行漏极电流
  • 超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1mm x 0.6mm
  • 超薄
    • 最大高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 电池类应用
  • 手持式和移动类应用

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参数 与其它产品相比 P 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD25481F4 CSD25480F3 CSD25483F4 CSD25484F4 CSD25485F5
-20    -20    -20    -20    -20   
-12    -12    -12    -12    -12   
Single    Single    Single    Single    Single   
105    159    245    109    42   
175    260    390    180    70   
800    840    1070    825    250   
-10    -10.4    -6.5    -22    -31   
-2.5    -1.7    -1.6    -2.5    -5.3   
0.913    0.7    0.96    1.09    2.7   
0.153    0.1    0.16    0.15    0.56   
0.24    0.26    0.25    0.35    0.67   
-0.95    -0.95    -0.95    -0.95    -0.95   
LGA 0.6x1.0    LGA 0.6x0.7    LGA 0.6x1.0    LGA 0.6x1.0    LGA 0.8x1.5   

WEBENCH® NexFET Designer

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Vin
Min
V
  Max
V
 
Output Vout
V
  Iout
A
Ambient Temp °C  
Multiple Loads
Single Output
FPGA Power Processor Power
All
Actel
Altera
Lattice
Xilinx
TI
All
Multiple Loads
Multiple Loads
 

Vin (V)
Min
Max
Op. Temperature °C
Optional Light Output (Lumens)