CSD16321Q5 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET | 德州仪器 TI.com.cn

CSD16321Q5
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET - CSD16321Q5
数据表
 

描述

This 25-V, 1.9-mΩ, 5-mm × 6-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5-V gate drive applications.

特性

  • Optimized for 5-V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

All trademarks are the property of their respective owners.

参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD16321Q5 立即下单 25     Single     2.6     200     14     2.5     SON5x6     10     1.1       100     Yes    
CSD16322Q5 立即下单 25     Single     5.8     136     6.8     1.3     SON5x6     10     1.1     97     100     Yes    
CSD16325Q5 立即下单 25     Single     2.2     200     18     3.5     SON5x6     10     1.1       100     Yes