CSD18514Q5A 40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON5x6、4.9mΩ | 德州仪器 TI.com.cn

CSD18514Q5A
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
40V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路 SON5x6、4.9mΩ

 

描述

这款采用 5mm × 6mm SON 封装的 40V、4.1mΩ、 NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低 损耗。

特性

  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD18514Q5A 立即下单 40     Single     7.9     4.9     237     29     5     SON5x6     20     1.8     89     50     Yes    
CSD18510KCS 立即下单 40     Single     2.6     1.7     400     119     21     TO-220     20     1.7     274     200     Yes    
CSD18510KTT 立即下单 40     Single     2.6     1.7     400     119     21     D2PAK     20     1.7     274     200     Yes    
CSD18510Q5B 立即下单 40     Single     1.6     0.96     400     118     21     SON5x6     20     1.7     300     100     Yes    
CSD18511Q5A 立即下单 40     Single     3.5     2.3     400     63     11.2     SON5x6     20     1.8     159     100     Yes    
CSD18512Q5B 立即下单 40     Single     2.3     1.6     400     75     13.3     SON5x6     20     1.6     211     100     Yes    
CSD18513Q5A 立即下单 40     Single     5.3     3.4     400     45     8.8