CSD13381F4 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD13381F4
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4

 

描述

此 140mΩ,12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化,以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

特性

  • 低导通电阻
  • 低 Qg和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄
    • 高度 0.35mm
  • 集成型静电放电 (ESD) 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模式 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 组件充电模式 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS 环保标准

应用范围

  • 针对负载开关应用进行了优化
  • 针对通用开关应用进行了优化
  • 单节电池应用
  • 手持式和移动类应用

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) RDS(on) typ at VGS=2.5 V (Typ) (mOhm) VGS (V) VGSTH typ (V) Logic level
CSD13381F4 立即下单 12     Single     180       7     1.06     0.14     LGA 1.0 x 0.6mm     170     8     0.85     Yes    
CSD13380F3 立即下单 12     Single     76       13.5     0.91     0.15     LGA0.6x0.7     73     8     0.85     Yes    
CSD13383F4 立即下单 12     Single     44       27     2     0.6     LGA 1.0 x 0.6mm     53     10     1     Yes    
CSD13385F5 立即下单 12     Single     19       41     3.9     0.39     LGA 0.8x1.5     18     8     0.8     Yes    
CSD17382F4 立即下单 30     Single     67       14.8     2.1     0.63     LGA 1.0 x 0.6mm     67     10     0.9     Yes    
CSD17484F4 立即下单 30     Single     128       18     0.92     0.075     LGA 1.0x0.6mm     125     12     0.85     Yes    
CSD17585F5 立即下单 30     Single     33     27     34     1.9     0.39     LGA 0.8x1.5       20     1.3     Yes