CSD25310Q2 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2 | 德州仪器 TI.com.cn

CSD25310Q2 (正在供货) 20V P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25310Q2

 

描述

这款 19.9mΩ,20V P 通道器件被设计成在超薄且尽可能小的外形尺寸封装内以出色的热特性提供尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 其低导通电阻,与 SON 2mm x 2mm 塑料封装内的极小封装尺寸组合在一起,使得此器件成为电池供电、空间受限运行的理想选择。

顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 43°C/W,这是在 0.060 英寸厚环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1in² 铜(2 盎司)过渡垫片上测得的典型值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低导通电阻
  • 低热阻
  • 无铅
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 2mm x 2mm 塑料封装

应用范围

  • 电池管理
  • 负载管理
  • 电池保护

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参数

与其它产品相比 P沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) VGS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms) Id peak (Max) (A) Id max cont (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) QGS typ (nC) VGSTH typ (V) Package (mm)
CSD25310Q2 立即下单 -20     -8     Single     23.9     32.5     89     -48     -9.6     3.6     0.5     1.1     -0.85     SON 2x2    
CSD25402Q3A 立即下单 -20     -12     Single     8.9     15.9     300     -82     -15     7.5     1.1     2.4     -0.9     SON 3x3    
CSD25404Q3 立即下单 -20     -12     Single     6.5     12.1     150     -240     -18     10.8     2.2     2.8     -0.9     SON 3x3