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CSD18511KCS
此产品已上市,且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
CSD18511KCS

 

描述

此 40V、2.1mΩ、TO-220 NexFET™功率 MOSFET 被设计成大大降低功率转换 损耗的理想选择。



特性

  • 低 Qg 和 Qgd
  • 低 RDS(ON)
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 晶体管 (TO)-220 塑料封装

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参数

与其它产品相比 N沟道MOSFET晶体管 邮件 下载到电子表格中
Part number 立即下单 VDS (V) Configuration Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms) Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms) IDM, max pulsed drain current (Max) (A) QG typ (nC) QGD typ (nC) Package (mm) VGS (V) VGSTH typ (V) ID, silicon limited at Tc=25degC (A) ID, package limited (A) Logic level
CSD18511KCS 立即下单 40     Single     4.2     2.6     400     64     9.7     TO-220     20     1.8     194     110     Yes    
CSD18503KCS 立即下单 40     Single     6.8     4.5     358     30     4.6     TO-220     20     1.9     142     100     Yes    
CSD18504KCS 立即下单 40     Single     10     7     238     19     3.5     TO-220     20     1.9     89     100     Yes    
CSD18510KCS 立即下单 40     Single     2.6     1.7     400     119     21     TO-220     20     1.7     274     200     Yes