所有电源轨都应具有低 ESR 陶瓷电容器旁路,如节 9.2中所示和所述。
若要创建至 PGND、DGND 和 GND 的低阻抗连接,并最大限度地减小接地噪声,应在布局中使用具有多个填充导热环氧树脂通孔的接地平面。
对于此器件,应遵循特定布局设计建议:
- 为承载大电流的信号使用宽迹线:PVDDH、PVDDL、PGND、DGND、GND 和扬声器 OUTP、OUTN。
- 应直接连接 PGND 引脚并短接到接地平面。
- DGND 引脚应直接连接到接地平面。
- 将 VSNSP 和 VSNSN 连接至尽可能靠近扬声器的位置。
- 如果在输出端使用了 EMI 铁氧体,则 EMI 铁氧体滤波器和扬声器之间应连接 VSNSP 和 VSNSN。
- VSNSP 和 VSNSN 布线应与开关信号(接口信号、扬声器输出、自举引脚)隔开并进行屏蔽。
- 将自举电容器放置在尽可能靠近 BST 引脚的位置。
- 应将 PVDDH 和 PVDDL 的去耦电容器尽可能靠近引脚放置(请参阅节 12.2)。