请参阅 PMP23338 参考设计，了解最新的图腾柱无桥 PFC 硬件、软件和不同的输入电流感应选项。
TIDM-1007
高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
TIDM-1007
概述
交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 采用高带隙 GaN 器件，由于具有电源效率高和尺寸小的特点，因此是极具吸引力的电源拓扑。此设计说明了使用 C2000™ MCU 和 LMG3410 GaN FET 模块来控制此功率级的方法。采用自适应死区时间与切相方法提升效率。 非线性电压补偿器旨在减少瞬态期间的过冲和下冲。此设计选择基于软件锁相环 (SPLL) 的方案来精确地驱动图腾柱电桥。供该设计使用的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
特性
- 在高压线路上具有交流输入 (90-230Vrms)、50-60Hz 和 3.3kW 额定功率
- 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2%
- 提供 powerSUITE 支持，以使设计轻松满足用户要求
- 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路
- 低过零失真
- 展示自适应死区时间、切相和非线性电压补偿器的实现方式
- 功率级控制可在 C28x CPU 或并行 CLA 上运行
Data center
我们开发的全面组装电路板仅用于测试和性能验证，不可用于销售。
设计文件和产品
设计文件
下载现成的系统文件，加快您的设计过程。
产品
在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。
UNKNOWN
TMS320F280048C-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280049-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280041C-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128KB 闪存、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280048-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280049 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、PGA、SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280041C — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128KB 闪存、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280040C-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128KB 闪存、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F28075-Q1 — 具有 120MHz 频率、FPU、TMU、512KB 闪存、CLA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280049C — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280040-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128KB 闪存、PGA 和 SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280049C-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、256KB 闪存、CLA、InstaSPIN-FOC、CLB、PGA、SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
UNKNOWN
TMS320F280041-Q1 — 具有 100MHz 频率、FPU、TMU、128KB 闪存、PGA 和 SDFM 的汽车类 C2000™ 32 位 MCU
技术文档
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 设计指南 | 使用 C2000™ MCU 的双向交错式 CCM 图腾柱无桥 PFC 参考设计 (Rev. E) | 英语版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2021-8-16 | |
| 应用手册 | 使用 C2000™ 实时微控制器的基本开发指南 (Rev. F) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.F) | PDF | HTML | 2023-3-30 | |
| 白皮书 | 通过结合 TI GaN FET 实现功率密集和高效的数字电源系统 | 英语版 | 2021-1-5 | |||
| 白皮书 | Breakthrough technologies lead the solar power industry into the future | 2018-7-27 | ||||
| 技术文章 | Digital power control advances GaN PFC design | PDF | HTML | 2018-4-12 |