PMP23249

650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计

PMP23249

设计文件

概述

此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET,在半桥配置中集成了驱动器和保护,具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的,可尽量减少电源环路的寄生电感,减少电压过冲,提升性能。插槽式外部连接配置了此设计,可方便地与外部功率级连接,在各种应用中运行 LMG352XR0X0。

特性
  • 用于评估 LMG352XR030 性能的开环设计
  • 逐周期过流保护和锁定短路保护
  • 尺寸可满足更高的功率密度
  • 输入电压高达 650V
  • 针对内部过热和欠压锁定 (UVLO) 监控的自我保护
输出电压选项 PMP23249.1
输入电压(最小值)(V) 300
输入电压(最大值)(V) 650
输出电压(标称值)(V) 380
Iout(最大值)(A) 9.4
输出功率 (W) 3572
隔离/非隔离 Non-Isolated
输入类型 DC
拓扑 Other
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设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

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TIDT304.PDF (900 KB)

参考设计的测试结果,包括效率图、测试必要条件等

TIDMAY0.PDF (206 KB)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDMAX9.PDF (138 KB)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDMAY2.ZIP (25596 KB)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCGA6.ZIP (213 KB)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDMAY1.PDF (333 KB)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

TIDMAX8.PDF (249 KB)

设计布局和元件的详细原理图

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

变压器驱动器

SN6505B适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

数据表: PDF | HTML
氮化镓 (GaN) 功率级

LMG3522R030具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 650V 30mΩ GaN FET

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数字隔离器

ISO7710EMC 性能优异的单通道、增强型数字隔离器

数据表: PDF | HTML
数字隔离器

ISO7731EMC 性能优异的三通道、2/1、增强型数字隔离器

数据表: PDF | HTML

开始开发

硬件开发

子卡

TMDSCNCD280049C — F280049C evaluation module for C2000™ MCU controlCARD™

此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET,在半桥配置中集成了驱动器和保护,具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的,可尽量减少电源环路的寄生电感,减少电压过冲,提升性能。插槽式外部连接配置了此设计,可方便地与外部功率级连接,在各种应用中运行 LMG352XR0X0。
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支持的产品和硬件

支持的产品和硬件

硬件开发
参考设计
PMP21495 6.6kW、双向、双有源电桥 CLLLC 谐振转换器参考设计 PMP21999 具有 PCB 绕组变压器的 6.6kW、双向 CLLLC 谐振转换器参考设计 PMP23126 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计 PMP23249 650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计 PMP41006 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计 PMP41043 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计 TIDA-00915 适用于集成型驱动器的三相、1.25kW、200V 交流小型 GaN 逆变器参考设计 TIDA-010059 使用霍尔效应电流传感器、适用于 230VAC 电机驱动器的同相电流感应参考设计 TIDA-010062 1kW、80+ titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC(具有 LFU)参考设计 TIDA-010086 数字控制成本优化型 10A 电池化成和测试参考设计 TIDA-010203 采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计 TIDA-010210 基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计 TIDA-010231 适用于光伏应用电弧检测的模拟前端参考设计 TIDM-02000 使用 C2000™ 实时 MCU 的峰值电流模式控制相移全桥参考设计 TIDM-02002 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计 TIDM-02008 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC TIDM-1007 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计 TIDM-1022 谷底开关升压功率因数校正 (PFC) 参考设计
有库存
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PMP21495 6.6kW、双向、双有源电桥 CLLLC 谐振转换器参考设计 PMP21999 具有 PCB 绕组变压器的 6.6kW、双向 CLLLC 谐振转换器参考设计 PMP23126 具有有源钳位、功率密度大于 270W/in3 的 3kW 相移全桥参考设计 PMP23249 650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计 PMP41006 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计 PMP41043 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计 TIDA-00915 适用于集成型驱动器的三相、1.25kW、200V 交流小型 GaN 逆变器参考设计 TIDA-010059 使用霍尔效应电流传感器、适用于 230VAC 电机驱动器的同相电流感应参考设计 TIDA-010062 1kW、80+ titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC(具有 LFU)参考设计 TIDA-010086 数字控制成本优化型 10A 电池化成和测试参考设计 TIDA-010203 采用 C2000 和 GaN 的 4kW 单相图腾柱 PFC 参考设计 TIDA-010210 基于 GaN 的 11kW 双向三相 ANPC 参考设计 TIDA-010231 适用于光伏应用电弧检测的模拟前端参考设计 TIDM-02000 使用 C2000™ 实时 MCU 的峰值电流模式控制相移全桥参考设计 TIDM-02002 针对 HEV/EV 车载充电器的双向 CLLLC 谐振、双有源电桥 (DAB) 参考设计 TIDM-02008 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC TIDM-1007 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计 TIDM-1022 谷底开关升压功率因数校正 (PFC) 参考设计

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* 测试报告 Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design PDF | HTML 2022-10-20

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