PMP23249
650V 30mΩ GaN FET 子卡参考设计
PMP23249
概述
此参考设计具有两个 LMG352XR0X0 650V GaN FET，在半桥配置中集成了驱动器和保护，具有所有必要的偏置电路和逻辑/电源电平转换。功率级、栅极驱动、高频电流环路在板上是全封闭的，可尽量减少电源环路的寄生电感，减少电压过冲，提升性能。插槽式外部连接配置了此设计，可方便地与外部功率级连接，在各种应用中运行 LMG352XR0X0。
特性
- 用于评估 LMG352XR030 性能的开环设计
- 逐周期过流保护和锁定短路保护
- 尺寸可满足更高的功率密度
- 输入电压高达 650V
- 针对内部过热和欠压锁定 (UVLO) 监控的自我保护
| 输出电压选项 | PMP23249.1 |
|---|---|
| Vin (Min) (V) | 300 |
| Vin (Max) (V) | 650 |
| Vout (Nom) (V) | 380 |
| Iout (Max) (A) | 9.4 |
| Output Power (W) | 3572 |
| Isolated/Non-Isolated | Non-Isolated |
| Input Type | DC |
| Topology | Other |
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| 类型 | 标题 | 下载最新的英文版本 | 日期 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 测试报告 | Compact LMG3522R030-Q1 650-V, 30-mΩ, Half-Bridge Daughter Card Reference Design | PDF | HTML | 2022年 10月 20日 |