LMG3410-HB-EVM

LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

LMG3410-HB-EVM

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概述

LMG34XX-BB-EVM 是易于使用的输出板,可配置 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG34XX 半桥板(作为同步降压转换器)。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路,该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件开关。该 EVM 能够在提供充分的热管理(强制通风、低频运行等)的同时提供高达 8A 的输出电流,以确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合于瞬态测量,因为该板是开环板。
仅需要单脉冲宽度调制输入,在板上生成互补脉冲宽度调制信号和相应的死区时间。提供了探测点,以便允许使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
 
LMG3410-HB-EVM 使用所有必要的辅助外围电路在半桥中配置两个 LMG3410R070 GaN FET。该 EVM 旨在与更大的系统(如 LMG34XX-BB-EVM 或定制设计的功率级)配合使用。通过在具有便利连接点的高性能布局上提供 LMG3410R070,可以快速轻松地实现运行和电路中的测量。

无需电平位移或隔离,因为已经包含所有必要的电路。可以通过两种方法生成辅助偏置,默认使用仅需要单个 5V 输入且可配置为通过 12V 电压以引导模式运行的隔离电源。为散热器组合件提供了露铜焊盘,以允许更高的功率耗散。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 用于评估 LMG3410R070 性能的简单开环设计
  • 用于 PWM 信号的单个板载 PWM 输入(死区时间为 50ns)
  • 用于使用示波器探针(具有短接地弹簧探针)进行逻辑和功率级测量的便利探测点

  • LMG3410-HB-EVM

氮化镓(GaN) IC
LMG3410R070 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R050 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN

 

数字隔离器
ISO7831 高隔离额定值、三通道、2/1、增强型数字隔离器
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Evaluating LMG3410R070 GaN FET power stage

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LMG3410-HB-EVM – LMG3410R070 600-V 70-mΩ GaN half-bridge daughter card

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