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LMG34XX-BB-EVM

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LMG34XX-BB-EVM

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概述

LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。

仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。

特性
  • 输入电压高达 600V
  • 采用简单开环设计，可用于评估 LMG341x 子卡的半桥性能
  • 用于 PWM 信号的单路板载 PWM 输入（具有 50 ns 死区时间）
  • 用于使用示波器探针（具有短接地弹簧探针）进行逻辑和功率级测量的便利探测点
氮化镓 (GaN) 功率级
LMG3410R050 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3410R070 — 具有集成驱动器和保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3410R150 — 具有集成驱动器和过流保护功能的 600V 150mΩ GaN LMG3411R050 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 50mΩ GaN LMG3411R070 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 70mΩ GaN LMG3411R150 — 具有集成驱动器和逐周期过流保护功能的 600V 150mΩ GaN

 

线性和低压降 (LDO) 稳压器
LM2940-N — 1A、26V、高 PSRR、低压降稳压器
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  1. 订购适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板和所需的子卡
  2. 阅读 LMG34XX-BB-EVM 用户指南

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子卡

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

支持的产品和硬件

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硬件开发
参考设计
PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计 PMP20978 — 具有高电压 GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计 PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计 PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计 PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计 TIDA-010062 — 1kW、80+ titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC（具有 LFU）参考设计 TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
评估板
LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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PMP20873 — 效率高达 99% 且基于 GaN 的 1kW CCM 图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器参考设计 PMP20978 — 具有高电压 GaN FET 的高效率和高功率密度 1kW 谐振转换器参考设计 PMP21309 — 具有 HV GaN FET 的 24V/500W 谐振转换器参考设计 PMP41006 — 由 C2000™ 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1kW 参考设计 PMP41043 — 由 C2000 和 GaN 实现 CCM 图腾柱 PFC 和电流模式 LLC 的 1.6kW 参考设计 TIDA-010062 — 1kW、80+ titanium、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC（具有 LFU）参考设计 TIDM-02008 — 采用 C2000™ MCU 的双向高密度 GaN CCM 图腾柱 PFC TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
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LMG34XX-BB-EVM — 适用于 LMG341x 系列的 LMG34xx GaN 系统级评估主板
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LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-018 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护功能的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡

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LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护功能的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡

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子卡
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3410EVM-031 — LMG3410R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-018 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R050 600V 50mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-029 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R070 600V 70mΩ GaN 半桥子卡 LMG3411EVM-031 — 具有逐周期过流保护的 LMG3411R150 600V 150mΩ GaN 半桥子卡
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适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

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* EVM 用户指南 Using the LMG3410-HB-EVM Half-Bridge and LMG34XX-BB-EVM Breakout Board EVM (Rev. A) 2017-5-3
证书 LMG34XX-BB-EVM EU Declaration of Conformity (DoC) 2019-1-2

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