此参考设计基于多个碳化硅 (SiC) MOSFET 而构建，该 MOSFET 由 C2000 微控制器 (MCU) 通过 SiC 隔离式栅极驱动器进行驱动。此设计采用了三相交错技术并在连续导通模式 (CCM) 中运行，在 240V 输入电压和 6.6kW 全功率下可实现 98.46% 的效率。C2000 控制器可实现切相和自适应死区时间控制，从而改善轻载条件下的功率因数。栅极驱动器板（请参阅 TIDA-01605）能够提供 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流。栅极驱动器板实现了增强型隔离，可承受超过 100V/ns 的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。栅极驱动器板还包含两级关断电路，可在短路情况下保护 MOSFET 抵御电压过冲。
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