效率为 98.6% 且适用于 HEV/EV 车载充电器的 6.6kW 图腾柱 PFC 参考设计
TIDA-01604
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描述

This reference design functions from a base of silicon carbide (SiC) MOSFETs that are driven by a C2000 microcontroller (MCU) with SiC-isolated gate drivers. The design implements three-phase interleaving and operates in continuous conduction mode (CCM) to achieve a 98.46% efficiency at a 240-V input voltage and 6.6-kW full power. The C2000 controller enables phase shedding and adaptive dead-time control to improve the power factor at light load. The gate driver board (see TIDA-01605) is capable of delivering a 4-A source and 6-A sink peak current. The gate driver board implements a reinforced isolation and can withstand more than 100-V/ns common-mode transient immunity (CMTI). The gate driver board also contains the two-level turnoff circuit, which protects the MOSFET from voltage overshoot during the short-circuit scenario.

特性
  • High-power-density, high-efficiency PFC design to power systems up to 6.6 kW
  • Half-bridge- and compact isolated gate driver with reinforced isolation and two-level turnoff protection                                             
  • Full digital control with high-performance C2000™ controller to enable advanced control scheme
  • 98.46% peak efficiency, greater than 0.99 power factor and less than 2% total harmonic distortion (THD)
  • Three-phase interleaved operation with phase shedding control

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型号 封装 | 引脚 CAD File (.bxl) STEP Model (.stp)
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Texas Instruments and Accelerated Designs, Inc. have collaborated together to provide TI customers with schematic symbols and PCB layout footprints for TI products.

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应用手册 (1)
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PDF 100 2017年 4月 26日
用户指南 (1)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 5479 2020年 4月 27日 下载英文版本 (Rev.B)
白皮书 (2)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 1205 2021年 3月 15日 下载英文版本 (Rev.A)
PDF 1217 2018年 7月 27日
设计文件 (6)
标题 类型 大小 (KB) 日期 下载最新英文版本
PDF 421 2018年 8月 27日
ZIP 2820 2018年 8月 27日
PDF 73 2018年 8月 27日
ZIP 890 2018年 3月 1日
PDF 2654 2018年 3月 1日
PDF 335 2018年 3月 1日

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