Bidirectional high density GaN CCM totem pole PFC using C2000™ MCU
TIDM-02008
此产品已上市，且可供购买。 可提供某些产品的较新替代品。
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主要文档
- 双向交错 CCM Totem 极无桥式 PFC 参考设计 C2000™ MCU (Rev. E)
(PDF 8250 KB)
2021年 4月 5日 (英文內容)
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描述
此参考设计为3kW 双向交错式连续导通模式 (CCM) 图腾柱 (TTPL) 无桥功率因数校正 (PFC) 功率级，采用 C2000™ 实时控制器和具有集成驱动器和保护功能的 LMG3410R070 氮化镓 (GaN)。此电源拓扑支持双向潮流（PFC 和并网逆变器）且使用 LMG341x GaN 器件，可提高效率并减小电源尺寸。该设计可利用切相和自适应死区时间提高效率，通过输入电容补偿方案提高轻负载下的功率因数，并借助非线性电压环降低 PFC 模式下的瞬态电压尖峰。此参考设计中的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。
特性
- PFC 模式：在高压线路上具有 90Vrms 至 230Vrms 交流输入、50Hz 至 60Hz 频率和 3.3kW 额定功率
- 并网逆变器模式：在高压线路上具有高达 400V 的直流输入和 3.3kW 额定功率
- 峰值效率为 98.75% 且总谐波失真 (THD) 小于 2%
- 内置频率响应分析器 (SFRA) 以便验证并设计控制环路
- 低过零失真
- GaN 和 C2000 控制器高频率运行可实现高功率密度设计
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