LMG3410R070
- TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
- Enables High Density Power Conversion Designs
- Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
- Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
- Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
- Digital Fault Status Output Signal
- Only +12 V Unregulated Supply Needed
- Integrated Gate Driver
- Zero Common Source Inductance
- 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
- Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
- 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
- Robust Protection
- Requires No External Protection Components
- Over-current Protection with <100ns Response
- >150V/ns Slew Rate Immunity
- Transient Overvoltage Immunity
- Overtemperature Protection
- UVLO Protection on All Supply Rails
- Device Options:
- LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
- LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.
The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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技术文档
设计与开发
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LMG34XX-BB-EVM 是一款易于使用的分线板，可将 LMG3410-HB-EVM 等任何 LMG341x 半桥板配置为同步降压转换器。通过提供功率级、偏置电源和逻辑电路，该 EVM 可用于快速测量 GaN 器件的开关速度。该 EVM 能够在提供充分热管理（强制通风、低频运行等）的同时提供高达 8A 的输出电流，从而确保不超出最大工作温度。该 EVM 不适合用于瞬态测量，因为该板是开环板。
仅需要一个脉宽调制输入，即可在电路板上生成互补的脉宽调制信号和相应的死区时间。提供了探测点，从而可使用具有短接地弹簧的示波器探针测量关键逻辑和功率级波形。
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此参考设计在使用 C2000™ F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
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此参考设计在使用 C2000 F28004x 微控制器的半桥 LLC 级上演示了一种混合迟滞控制 (HHC) 方法，这是一种电流模式控制方法。该硬件基于 TIDA-010062 1kW、80 Plus 钛金级、GaN CCM 图腾柱无桥 PFC 和半桥 LLC 参考设计。通过另行添加感应卡实现了混合迟滞控制，从而在谐振电容器上重新生成电压。
与单环路电压模式控制方法 (VMC) 相比，该 HHC LLC 级具有更好的瞬态响应和易于控制的环路设计。
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TIDM-1007 — 高效率 GaN CCM 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC) 参考设计
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
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| VQFN (RWH) | 32 | Ultra Librarian |
订购和质量
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