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CSD17381F4

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30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 1mm x 0.6mm、117mOhm、閘極 ESD 防護

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² 1.035 x 0.635
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Ultra-low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36 mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated >4 kV HBM
    • Rated >2 kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 90 mΩ, 30 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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設計與開發

如需其他條款或必要資源，請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 通道評估模組

此 FemtoFET N 通道評估模組 (EVM) 包括七個子卡，每個子卡都包含不同的 FemtoFET N 通道零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  七個 FemtoFET 的範圍為從 12V 到 60V VDS，而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
模擬型號

CSD17381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM134.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
模擬型號

CSD17381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM073A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

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參考設計

TIDA-01352 — 400W 連續、可擴展、±2.5 至 ±150V 可編程超音波電源參考設計

TIDA-01352 提供數位可編程電源供應器解決方案，用於超音波發射電路的供電，實現模組化與高效率的功率擴展能力。此設計使用推拉式拓撲結構產生高電壓 (HV) 和低電壓 (LV) 或中電壓電源供應。高壓軌的電壓可編程範圍為 ±50V 至 ±150V，低壓或中壓軌則為 ±2.5V 至 ±50V。每一軌道皆可持續提供 100W 的電力。可編程功能是透過板載的 12 位元數位類比轉換器 (DAC) (...)
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
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  • 材料內容
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  • 進行中的可靠性監測
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