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CSD13303W1015

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、20 mOhm

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針腳對針腳的功能與所比較的裝置相同。
CSD13306W 現行 12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1.5 mm、10.2 mOhm This product has lower resistance and a similar 1 ku price.

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產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 20 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 20 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.4 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.5 ID - package limited (A) 3.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² (— mm × — mm)
  • Ultra Low on Resistance
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package
  • Ultra Low on Resistance
  • Ultra Low Qg and Qgd
  • Small Footprint
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • CSP 1 × 1.5 mm Wafer Level Package

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.

The device has been designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra low profile.
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* 資料表 N-Channel NexFET™ Power MOSFET, CSD13303W1015 datasheet (Rev. A) 2012/5/23
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CSD13303W1015 TINA-TI Spice Model

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DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
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