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CSD25480F3

現行

-20-V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6 mm x 0.7 mm、159 mOhm、閘極 ESD 防護

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產品規格表

CSD25480F3

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產品詳細資料

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 159 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 260 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 0.7 QGD (typ) (nC) 0.1 QGS (typ) (nC) 0.26 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.7 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –20-V, 110-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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* Data sheet CSD25480F3 –20-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021年 9月 8日
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設計與開發

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開發板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 通道評估模組

此 FemtoFET P-ch EVM 包括六片子卡，每片卡都包含不同的 FemtoFET p-ch 零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  六個 FemtoFET 範圍從 12V 到 20V Vds，而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體
下載
模擬型號

CSD25480F3 TINA-TI Reference Design

SLPM322.TSC (1196 KB) - TINA-TI Reference Design
下載
模擬型號

CSD25480F3 TINA-TI Spice Model

SLPM323.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
下載
模擬型號

CSD25480F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM178B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
下載
參考設計

TIDA-050039 — 針對鋰離子電池參考設計從單芯太陽能面板收集能量

TIDA-050039 參考設計展示如何將完整整合的同步升壓轉換器 TPS61089 與單芯太陽能面板結合使用，為鋰離子電池充電。進行額外的最大功率點 (MPP) 取樣網路，以能動態控制輸入電壓，將太陽能板的電力傳輸最佳化。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
適用 TI 的評估品項標準條款與條件。

訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

以英文檢視所有論壇主題

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