CSD23280F3

現行

-12V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6mm x 0.7mm、116mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² (0.69 mm × 0.6 mm)
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

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設計與開發

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開發板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 通道評估模組

此 FemtoFET P-ch EVM 包括六片子卡,每片卡都包含不同的 FemtoFET p-ch 零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  六個 FemtoFET 範圍從 12V 到 20V Vds,而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
支援產品和硬體
有庫存
限制:
??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速取捨尺寸、成本和性能,以根據應用條件選擇最佳 MOSFET。
支援產品和硬體
模擬型號

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支援產品和硬體
參考設計

TIDA-01228 — 具有感應式感測的低功耗水流量測參考設計

此參考設計展示了本應用使用由 CC1350 SimpleLink™ 無線 MCU 和 FemtoFET™ MOSFET ™啟用之的電感感測技術的高度整合解決方案。此參考設計也提供無線通訊整合平台,如無線 M-Bus、Sigfox™ 或專屬通訊協定。想要新增自動讀錶 (AMR) 功能的水或瓦斯公用事業供應商,也必須選擇更換現有的所有電表,或安裝簡易電子附加功能模組,以精確測量水流,並以無線方式傳輸結果。這類附加模組可提供最經濟的解決方案,為消費者提供 AMR 功能。 
支援產品和硬體
參考設計

TIDA-01589 — 具備雜訊消除與回波抵銷功能的高保真、近場雙向音訊參考設計

人機互動需要聲學介面,以提供全雙工免手持通訊。在免手持模式下,來自喇叭的部分遠端或近端音訊訊號會耦合至麥克風。此外,在雜訊環境中,除了可擷取有用的近端音訊訊號外,麥克風還會擷取環境雜訊。擷取的多麥克風音訊訊號會受到聲學背景雜訊及回波訊號破壞,這些訊號會大幅降低所需訊號的清晰度,並限制後續音訊處理系統的性能。此參考設計展示了雙麥克風,其用於透過立體聲 ADC 實現音訊輸入,透過低功耗 DSP 執行雜訊降低、聲音回波消除和其他音訊品質強化演算法。此設計還採用了 TI 智慧型放大器技術,可透過微型喇叭實現高品質、高 SPL 音訊輸出。
支援產品和硬體
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian

訂購與品質

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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