首頁 電源管理 MOSFET

CSD13302W

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1 mm x 1 mm、17.1 mOhm

產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 17.1 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 25.8 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 2.1 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 17.1 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 25.8 VGSTH typ (typ) (V) 1 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 2.1 QGS (typ) (nC) 0.7 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 ID - package limited (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² 1.25 x 1.25
  • Ultra Low On Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 mm × 1 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Ultra Low On Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Small Footprint 1 mm × 1 mm
  • Low Profile 0.62 mm Height
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

This 14.6 mΩ, 12 V, N-Channel device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in a small 1 × 1 mm outline with excellent thermal characteristics and an ultra low profile.

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD13302W 12 V N Channel NexFET Power MOSFET datasheet PDF | HTML 2015年 3月 16日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計與開發

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開發板

TPS63802HDKEVM — TPS63802HDKEVM - 硬體開發套件

TPS63802HDKEVM 是一款通用開發工具,旨在協助使用者輕鬆快速地評估和測試最常見的降壓升壓轉換器使用案例。使用案例包括備用電源、輸入電流限制、LED 驅動器、數位電壓調整、旁路模式與精密啟用。使用者可透過變更跨接器和 DIP 開關,輕鬆地在不同的使用案例間進行選擇。不需焊接。

TPS63802HDKEVM 使用 TPS63802,輸出電壓設定為 3.3V。EVM 的輸入電壓運作範圍為 1.8V 至 5.5V。在降壓模式及升壓模式中,輸出電流可高達 2A。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

模擬型號

CSD13302W Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM149A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體

計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

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