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CSD17573Q5B

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、1.45 mOhm

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.45 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 49 QGD (typ) (nC) 11.9 QGS (typ) (nC) 17.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 332 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 1 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 1.45 VGSTH typ (typ) (V) 1.4 QG (typ) (nC) 49 QGD (typ) (nC) 11.9 QGS (typ) (nC) 17.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 332 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-Low RDS(on)
  • Low-Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-Low RDS(on)
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  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 0.84-mΩ, 30-V, SON 5-mm × 6-mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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此參考設計為 650-W 逆變器功率級，專為低頻（基於變壓器）、單相 UPS（由 12-V 電池供電）而設計。此設計利用 SON5x6 封裝且具有極低 RDS (on) 與低閘極電荷 (Qg) 的 TI SMD MOSFET，實現小外型尺寸與高效率實作方案。透過在全橋式功率級的各腳上並聯使用兩個裝置，該功率級消除了散熱器的需求，進而降低整體系統成本。
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封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian
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