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CSD83325L

現行

12-V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、雙 LGA、5.9 mOhm、閘極 ESD 保護

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產品規格表

CSD83325L

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產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Common Drain Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) 0.95 QG (typ) (nC) 8.4 QGD (typ) (nC) 1.9 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 8 ID - package limited (A) 8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJE) 6 2.3976 mm² (2.16 mm × 1.11 mm)
  • Common drain configuration
  • Low-on resistance
  • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Gate ESD protection
  • Common drain configuration
  • Low-on resistance
  • Small footprint of 2.2 mm × 1.15 mm
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • Gate ESD protection

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.

This 12-V, 9.9-mΩ, 2.2-mm × 1.15-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small footprint and common drain configuration make the device ideal for battery pack applications in small handheld devices.
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PICOSTAR (YJE) 6 Ultra Librarian
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