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CSD17579Q3A

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30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 3 mm x 3 mm、14.2 mOhm

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 5.3 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 10.2 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 14.2 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 5.3 QGD (typ) (nC) 1.2 QGS (typ) (nC) 2.2 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 39 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² (3.3 mm × 3.3 mm)
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This 30 V, 8.7 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30 V, 8.7 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.
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設計與開發

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??asset.out-of-stock-ti_zh_TW??
無法提供
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訂購與品質

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支援與培訓

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