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CSD16570Q5B

現行

25-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 5 mm x 6 mm、0.82 mOhm

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產品規格表

CSD16570Q5B

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產品詳細資料

VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 25 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 0.59 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 0.82 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 95 QGD (typ) (nC) 31 QGS (typ) (nC) 29 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 456 ID - package limited (A) 100 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DNK) 8 30 mm² 6 x 5
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package
  • Extremely Low Resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance for ORing and hot swap applications and is not designed for switching applications.

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* Data sheet CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2017年 5月 19日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 2023年 12月 6日
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 2011年 11月 16日

設計與開發

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支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

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支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

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模擬型號

CSD16570Q5B TINA-TI Spice Model

SLPM200.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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模擬型號

CSD16570Q5B Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM132B.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

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計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
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參考設計

PMP23126 — 3-kW 全橋相移式轉換器搭配主動箝位參考設計，可提供 > 270-W/in3 的功率密度

此參考設計是專為最高功率密度設計的 GaN 式 3-kW 全橋相移式轉換器 (PSFB)。此設計具主動箝位可減少二次側同步整流器 MOSFET 的電壓應力，以使用具更出色品質因數 (FoM) 的低電壓額定值 MOSFET。PMP23126 使用我們的一次側 30mΩ GaN 和二次側矽 MOSFET。與矽 MOSFET 相比，具整合式驅動器與保護的 LMG3522 頂端冷卻 GaN 可在更大的操作範圍中維持 ZVS，以實現更高效率。PSFB 可在 100 kHz 運作，並可達 97.74% 峰值效率。

MathWorks MATLAB 和 Simulink 範例模型包含在馬達控制 SDK (...)

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參考設計

PMP41081 — 使用 C2000™ 即時微控制器的 1-kW、12-V HHC LLC 參考設計

此參考設計為一個 1-kW，400-V 至 12-V 半橋諧振 DC/DC 平臺，適用於評估採用 F280039C 微控制器的混合磁滯控制 (HHC) 負載瞬態性能。HHC 是一種結合直接頻率控制 (DFC) 和充電控制的方法，並透過增加的頻率補償斜率進行充電控制。藉由額外的內部迴路，HHC 可改善電感器-電感器-電容器 (LLC) 的負載瞬態回應性能。
Test report: PDF
參考設計

PMP40586 — 1-kW 數位控制的電流模式 LLC 參考設計

此參考設計為業界首款數位混合磁滯控制 (HHC) 解決方案，專為配備 12-V 至 54-V 輸出的伺服器 PSU 應用領域打造。此參考設計展現 UCD3138 在 400-V 至 12-V 1-kW LLC 功率級的 HHC 控制優勢。此設計可實現 8-kHz 峰值迴路頻寬。它在 2.5 A/us 的 0% 和 100% 負載轉換下保持小於 500 mV 的峰間偏差，在 2.5 A/us 的 0% 和 150% 負載轉換下保持小於 800-mV 的峰值偏差。
Test report: PDF
參考設計

TIDA-010087 — 100-A 雙相數位控制電池測試器參考設計

此參考設計說明使用 C2000™ 微控制器 (MCU) 和精密 ADC ADS131M08，以精密控制雙向交錯式降壓轉換器功率級電流與電壓的方式。此設計利用 C2000 MCU 的高解析度脈衝寬度調變 (PWM) 產生周邊設備，實現低於 ±20mA 的電流穩壓錯誤及 ±1mV 的電壓穩壓錯誤。
Design guide: PDF
參考設計

PMP40182 — 雙向電池初始化系統電源板參考設計

本參考設計是適用於汽車與電池應用的電池初始化解決方案。此模組可實現電池充放電的高效率單級轉換。本設計採用高性能 INA225 電流感測放大器，具備 0.1% 準確度的電流控制迴路。此設計以精巧外型尺寸 (40mm x 143mm x 20mm) 實現完整功能。 
Test report: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
VSON-CLIP (DNK) 8 Ultra Librarian
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訂購與品質

內含資訊：
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊：
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

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