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CSD13385F5

現行

12-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.8 mm x 1.5 mm、19 mOhm、閘極 ESD 保護

產品詳細資料

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 19 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 23 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 3.9 QGD (typ) (nC) 0.39 QGS (typ) (nC) 0.74 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 7.1 ID - package limited (A) 7.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJK) 3 1.0877 mm² 1.49 x 0.73
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on resistance
  • Low Qg and Qgd
  • Ultra-small footprint
    • 1.53 mm × 0.77 mm
  • Low profile
    • 0.36-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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This 12-V, 15-mΩ, N-Channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a significant reduction in footprint size.

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技術文件

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD13385F5 12-V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021年 9月 8日
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More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日

設計與開發

如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 通道評估模組

此 FemtoFET N 通道評估模組 (EVM) 包括七個子卡,每個子卡都包含不同的 FemtoFET N 通道零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  七個 FemtoFET 的範圍為從 12V 到 60V VDS,而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

支援軟體

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支援產品和硬體

支援產品和硬體

模擬型號

CSD13385F5 TINA-TI Reference Design

SLPM264.TSC (531 KB) - TINA-TI Reference Design
模擬型號

CSD13385F5 TINA-TI Spice Model

SLPM263.ZIP (10 KB) - TINA-TI Spice Model
模擬型號

CSD13385F5 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM240A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
計算工具

FET-SOA-CALC-SELECT MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支援產品和硬體

支援產品和硬體

計算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

參考設計

TIDA-010053 — 使用一次電池,且適用於智慧電表無線模組的低功耗選項參考設計

此參考設計展示三種適合智慧流量表的不同電源架構,其中包含鋰錳 (LiMnO2) 主要電池,以及適用於物聯網 (IoT) 相關應用的商用現成窄頻模組。這三種電源解決方案結合電池供電智慧流量表的電池,以及和系統健全狀況監控參考設計硬體,可針對電池使用壽命提供高度準確的健康狀態 (SoH) 計算。持續開啟的系統內電流監控會偵測 RF 傳輸的電流峰值,並在之後安排可調整延遲時間的 SoH 測量。  運用 BQ35100 電池電量計,為 IoT 相關應用提供窄頻行動模組的高效率電源架構,可提供即時電池壽命資料以進行隨選電池更換。
Design guide: PDF
電路圖: PDF
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJK) 3 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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