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CSD22206W

現行

-8V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、閘極 ESD 保護

產品詳細資料

VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.7 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 9.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 11.2 QGD (typ) (nC) 1.8 QGS (typ) (nC) 2.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -8 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 5.7 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 9.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.7 QG (typ) (nC) 11.2 QGD (typ) (nC) 1.8 QGS (typ) (nC) 2.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZF) 9 3.0625 mm² 1.75 x 1.75
  • Ultra-Low Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Lead Free
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Ultra-Low Resistance
  • Small Footprint 1.5 mm × 1.5 mm
  • Lead Free
  • Gate ESD Protection
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Gate-Source Voltage Clamp

This –8-V, 4.7-mΩ, 1.5-mm × 1.5-mm device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This –8-V, 4.7-mΩ, 1.5-mm × 1.5-mm device is designed to deliver the lowest on resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD22206W –8-V P-Channel NexFET Power MOSFET datasheet PDF | HTML 2017年 5月 17日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
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Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 2019年 6月 14日

設計與開發

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支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

模擬型號

CSD22206W TINA-TI Reference Design

SLPM316.TSC (1195 KB) - TINA-TI Reference Design
模擬型號

CSD22206W TINA-TI Spice Model

SLPM317.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice Model
模擬型號

CSD22206W Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM287B.ZIP (4 KB) - PSpice Model
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
DSBGA (YZF) 9 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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