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CSD17318Q2

現行

30-V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 SON 2 mm x 2 mm、16.9 mOhm

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產品規格表

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產品詳細資料

VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 30 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.3 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 25 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 16.9 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 30 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 6 QGD (typ) (nC) 1.3 QGS (typ) (nC) 1.5 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 25 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Optimized for 5V gate drive
  • Low capacitance and charge
  • Low RDS(ON)
  • Low-thermal resistance
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package
  • Optimized for 5V gate drive
  • Low capacitance and charge
  • Low RDS(ON)
  • Low-thermal resistance
  • Lead free
  • RoHS compliant
  • Halogen free
  • SON 2mm × 2mm plastic package

This 30V, 12.6mΩ, 2mm × 2mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. The 2mm × 2mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.

This 30V, 12.6mΩ, 2mm × 2mm SON NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications. The 2mm × 2mm SON offers excellent thermal performance for the size of the package.
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