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CSD25484F4

現行

-20V、P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET、單 LGA 0.6mm x 1mm、109mOhm、閘極 ESD 防護

產品詳細資料

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 180 VGSTH typ (typ) (V) -0.95 QG (typ) (nC) 1.09 QGD (typ) (nC) 0.15 QGS (typ) (nC) 0.35 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJJ) 3 0.6 mm² 1 x 0.6
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Ultra-low Qg and Qgd
  • Low-threshold voltage
  • Ultra-small footprint (0402 case size)
    • 1.0 mm × 0.6 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.2-mm height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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This 80-mΩ, –20-V, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

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技術文件

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重要文件 類型 標題 格式選項 日期
* Data sheet CSD25484F4 –20-V P-Channel FemtoFET MOSFET datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2021年 9月 9日
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 2025年 10月 31日
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 2025年 10月 27日
Application note Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 2024年 3月 25日
Application note Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 2023年 12月 18日
Application note Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs PDF | HTML 2023年 12月 14日
Application note Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 2023年 3月 13日
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 2022年 5月 31日
More literature WCSP Handling Guide 2019年 11月 7日
Design guide FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016年 7月 7日
Technical article A power MOSFET that boldly goes where no one has gone before PDF | HTML 2015年 9月 24日

設計與開發

如需其他條款或必要資源,請按一下下方的任何標題以檢視詳細頁面 (如有)。

開發板

CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 通道評估模組

此 FemtoFET P-ch EVM 包括六片子卡,每片卡都包含不同的 FemtoFET p-ch 零件編號。  子卡可讓工程師輕鬆連接和測試這些微型裝置。  六個 FemtoFET 範圍從 12V 到 20V Vds,而裝置的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

使用指南: PDF
TI.com 無法提供
支援軟體

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
支援產品和硬體

支援產品和硬體

模擬型號

CSD25484F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM154A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
PICOSTAR (YJJ) 3 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

內容係由 TI 和社群貢獻者依「現狀」提供,且不構成 TI 規範。檢視使用條款

若有關於品質、封裝或訂購 TI 產品的問題,請參閱 TI 支援。​​​​​​​​​​​​​​

影片